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기술은 감각이다, 밀론 블로그
[반도체공정 feat.jaeger] 확산(Diffusion) Chapter 4 - 확산 시스템
반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition) - 확산(Deposition) - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)확산시스템에도 여러 종류가 있습니다. 확산시스템(1) 밀봉관 시스템 (STS, Sealed Tube System)(2) 개방관 시스템 (OTS, Open Tube System) 위 두개는 반도체 확산공정에서 가장 많이 사용되는 시스템입니다. 보통 확산공정에서 가격 절감을 위해 여러 장의 wafer 을 한꺼번에 diff..
[반도체공정 feat.jaeger] 확산(Diffusion) Chapter 4.10 - 실리콘에서의 불순물 재료
반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition) - 확산(Deposition) - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)지금까지 확산이론과 종류, 확산의 정도와 깊이에 대해 다뤘습니다.이제는 실리콘 기판에 사용되는 불순물 재료들을 이야기하겠습니다. 이 불순물 재료는 고체, 액체, 기체 등으로 분류가 가능합니다.추가적으로 아래 13~15족 원소들이 반도체에서 자주 이용되는 원소들입니다.옥텟 규칙(Octet Rule)에 의하면 가장 안정화된..
[반도체공정 feat.jaeger] 확산(Diffusion) Chapter 4.2.1~4.2.3 - 원료의 확산(constant source diffusion)
반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition) - 확산(Deposition) - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 기판도 불순물을 받아들이는 정도가 있습니다.우리는 이것을 solid solubility(고용도)라고 부릅니다. 책에서는 고용도를 N₀라고 정의합니다. 기판에 도핑을 하려고 할 때 2가지 상황을 고려할 수 있습니다. 1. 불순물이 계속 투입이 될 때.2. 불순물의 투입이 도중 중단될 때. 즉 확산법도 달라지게 됩니다.반..
[반도체공정 feat.jaeger] 확산(Diffusion) Chapter 4~4.2 - 확산이란?
1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition) - 확산(Deposition) - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 확산, 이온주입 모두 불순물을 target에 주입하는 과정을 말합니다. 모스펫의 P-N 접합에서의 도핑. 즉 확산에 의한 접합공정은 고전적이나 간단하고 저렴한 방법입니다.오랜 연구로 쌓인 데이터로 인한 정확한 공정모델이 가능하고 여전히 반도체 핵심 공정으로 분류됩니다. 따라서 오늘은 확산(Deposition)에 대해 이야기해 보겠습니다..
[반도체공정] feat.jaeger Chapter 3-2 산화 - 열산화
3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxidation(건식산화) wet oxdation(습식산화) Si 기판을 이용하여 산화를 시키기 때문에 전체 산화막의 두께의 약 46 % 는 소모된 Si의 두께가 됩니다.그렇다면 나머지 54 %는 생성된 산화막의 두께가 됩니다. 계면 경계인 X_0 를 기준으로 왼쪽 구간의 J를 F_1오른쪽 구간의 J를 F_2 으로 정의하겠습니다. 왼쪽에서 부터 오른쪽으로 산화가 진행되겠죠. 즉 flux 방향은 오른쪽이 되겠습니다. 기판의 표면인 x=0에서 산화막 계면의 위치인 X_0까지의 산화족 농도 flux 함수를 구할 수 있습니다.flux는 Fick의 법칙에 의해 다음과 같이 나타낼 수 있습니다...
[동아대학교 대학일자리플러스센터] 원데이 직무 클래스 삼성전자 반도체 과정 후기
2024.07.11신청 이유삼성전자에 대해 알고 싶었다.어떤 면접 태도를 가져야 하고 어떤 경험을 쌓아야 하는지가 궁금했다. 강의 내용필자의 경우 삼성전자 반도체 부문을 신청했다. 기업 모토와 직무, 면접, 원하는 인재상, 반도체 시장, 등 삼성전자 관점으로 강의를 진행한다. 느낀 점 삼성전자 20년 경력의 김용현 강사님이 설명하는 만큼 몰입도 있게 수강하였으며 나의 목표가 더욱 뚜렷해진 것 같은 계기가 되는 강의였다.유의사항아주 좋은 게 점심밥을 준다.날마다 다른 회사, 직무에서 강의가 진행되는 데 강의 진행 시간에 따라 커피를 줄 수 도 있다고 한다.