기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)반응 건식 식각(Reactive dry etching)도 다양한 분류로 나뉩니다. 화학적 반응 건식 식각 (Chemical Dry Etching) (a) 이온 조사 반응 건식 식각 (Reactive dry etching with ion irradiation)(b) 전자 조사 반응 건식 식각 (Electron irradi..

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)건식 식각에서도 이온식각이 있는데 말 그대로 이온으로 식각 하는 겁니다.이온도 입자이기 때문에 어떻게 이루어지는 지 이야기하겠습니다.2.2.3. Ion Etch(이온 식각)고에너지의 입자를 시료에 충돌시켜 운동량을 전달합니다.이로 인해 일어나는 sputtering 과정에 의해 etching 됩니다. Ion Etch은 다..

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)dry etch는 여러 종류가 있습니다.이온빔 스퍼터링 식각(Ion beam spuutering etching)RF 스퍼터링 식각(RF sputtering etching)반응건식식각화학적 반응 건식 식각 (chemical dry etching)하나하나 씩 살펴보겠습니다. 2.2.2. Dry Etch(건식 식각)건식식각을..

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 식각을 할 때에는 방향도 매우 중요합니다. 식각은 다음처럼 나눠 볼 수 있습니다.등방성 식각 (isotropic etching) : 결정방향 변화에 식각속도 변화 없음.비등방성 식각 (anisotropic etching) : 결정방향 변화에 시각속도 변화 있음.등방성 식각은 결정방향에 따른 식각속도 변화가 거의 없는 ..

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)4번쩨 반도체 공정인 식각은 박막을 증착하고 구멍을 파내는 공정을 의미합니다. 2.2. 식각이란?굳어진 photoresist로 보호되지 않는 모든 barriar layer 물질들을 제거하는 데 사용됩니다.  액체 또는 기체를 이용한 etching이 있습니다.wet etch(습식 식각)dry etch(건식 식각)화학물질의..

발표 ppt는 글 맨 아래 올려두었습니다. GaN on Si 소자 관련 팀별 5분 개인 발표를 학교에서 진행한 적이 있는데, 저는 한국원자력연구원의 특허자료를 인용해 발표를 하였습니다. 발표 내용은 이온주입을 이용한 GaN on Si 소자 항복전압 개선입니다. 관련 기술 조사 중 GaN on Si 관련 기술이 뭐가 있을까 고민을 좀 했습니다.워낙 다양한 기술이 존재했기 때문인데, 그래서 저는 GaN on Si 소자의 문제점에 집중했습니다. GaN과 Si는 격자 상수의 차이와 열팽창 계수의 차이가 존재합니다.따라서 이를 완화하기 위해서 GaN-Si 물질 사이에 AlN이라는 박막을 버퍼층으로 성장합니다. 이 버퍼층과 기판 사이 장벽에서 어떤 문제점이 발생하게 됩니다.AlN의 밴드갭은 6.1 eVSi의 밴드갭..