기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Diffusion)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 3.3 산화막 성장률 영향요소산화막의 성장률에 영향을 주는 요소들이 있습니다.결정방향도핑농도의 영향염소의 영향(Cl)압력의 영향 [반도체공정] feat.jaeger Chapter 3-2 산화 - 열산화3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxid..

3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxidation(건식산화)  wet oxdation(습식산화)   Si 기판을 이용하여 산화를 시키기 때문에 전체 산화막의 두께의 약 46 % 는 소모된 Si의 두께가 됩니다.그렇다면 나머지 54 %는 생성된 산화막의 두께가 됩니다. 계면 경계인 X_0 를 기준으로 왼쪽 구간의 J를 F_1오른쪽 구간의 J를 F_2 으로 정의하겠습니다.  왼쪽에서 부터 오른쪽으로 산화가 진행되겠죠. 즉 flux 방향은 오른쪽이 되겠습니다. 기판의 표면인 x=0에서 산화막 계면의 위치인 X_0까지의 산화족 농도 flux 함수를 구할 수 있습니다.flux는 Fick의 법칙에 의해 다음과 같이 나타낼 수 있습니다...

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)박막을 성장할 때 반드시 골고루 성장이 되어야 한다.그렇지 않으면 단선(open circuit)이 일어나거나 배선금속(interconnection metal) 의 모스펫이라면 Joule heating에 의해 특정 부분이 과열되어 단선된다. "박막 성장이 골고루 잘 퍼졌다!" = step coverage 혹은 conformal coverage.  그림과 같이 가려진 부분의 가려진 곳에 가스분자가 충돌. = 가야할 장..