기술은 감각이다, 밀론 블로그

3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxidation(건식산화)  wet oxdation(습식산화)   Si 기판을 이용하여 산화를 시키기 때문에 전체 산화막의 두께의 약 46 % 는 소모된 Si의 두께가 됩니다.그렇다면 나머지 54 %는 생성된 산화막의 두께가 됩니다. 계면 경계인 X_0 를 기준으로 왼쪽 구간의 J를 F_1오른쪽 구간의 J를 F_2 으로 정의하겠습니다.  왼쪽에서 부터 오른쪽으로 산화가 진행되겠죠. 즉 flux 방향은 오른쪽이 되겠습니다. 기판의 표면인 x=0에서 산화막 계면의 위치인 X_0까지의 산화족 농도 flux 함수를 구할 수 있습니다.flux는 Fick의 법칙에 의해 다음과 같이 나타낼 수 있습니다...

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 산소에 노출되면 실리콘 웨이퍼 표면이 산화되어 이산화규소를 형성합니다.  이 SiO2 film은 고품질 전기 절연체이며 불순물 증착 중에 차단제로서 사용할 수 있습니다. 이산화규소의 이러한 두 가지 특성은 실리콘이 오늘날 집적 회로 제조에 사용되는 지배적인 재료가 되도록 이끄는 주요 공정 요소였습니다.  이 Chapter 3장에서는 아래 목차에 대해서 논의합니다. 1. 산화물 성장 이론2. 산화물 성장 과정3. ..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 이온주입이란 무엇인가를 알아보겠습니다.5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자저지 [반도체공정] feat.jaeger3. Chapter 5-5 (이온주입) Chaneling, Lattice damage, and annealing, 예제 [반도체공정..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)박막을 성장할 때 반드시 골고루 성장이 되어야 한다.그렇지 않으면 단선(open circuit)이 일어나거나 배선금속(interconnection metal) 의 모스펫이라면 Joule heating에 의해 특정 부분이 과열되어 단선된다. "박막 성장이 골고루 잘 퍼졌다!" = step coverage 혹은 conformal coverage.  그림과 같이 가려진 부분의 가려진 곳에 가스분자가 충돌. = 가야할 장..