목록반도체/[공정 5] 박막(증착)성장(thin film deposition) (2)
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박막 성장 - step coverage [반도체공정]
반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)박막을 성장할 때 반드시 골고루 성장이 되어야 한다.그렇지 않으면 단선(open circuit)이 일어나거나 배선금속(interconnection metal) 의 모스펫이라면 Joule heating에 의해 특정 부분이 과열되어 단선된다. "박막 성장이 골고루 잘 퍼졌다!" = step coverage 혹은 conformal coverage. 그림과 같이 가려진 부분의 가려진 곳에 가스분자가 충돌. = 가야할 장..
박막의 성장 - 증착 종류 [반도체공정]
반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)반도체 8대 공정 중 5번째 과정인박막의 성장(thin film deposition)방법은 크게 2가지. 1. 물리기상증착(physical vapor deposition) : 약자 PVD. 화학적 반응이 없는 박막 증착과정.2. 화학기상증착(chemical vapor deposition) : 약자 CVD. 화학적 반응이 있는 박막 증착과정. 간단히 박막성장을 위해 주입된 원료물질과 반도체를 구성하는 박막을 구성하는..