기술은 감각이다, 밀론 블로그

발표 ppt는 글 맨 아래 올려두었습니다. GaN on Si 소자 관련 팀별 5분 개인 발표를 학교에서 진행한 적이 있는데, 저는 한국원자력연구원의 특허자료를 인용해 발표를 하였습니다. 발표 내용은 이온주입을 이용한 GaN on Si 소자 항복전압 개선입니다. 관련 기술 조사 중 GaN on Si 관련 기술이 뭐가 있을까 고민을 좀 했습니다.워낙 다양한 기술이 존재했기 때문인데, 그래서 저는 GaN on Si 소자의 문제점에 집중했습니다. GaN과 Si는 격자 상수의 차이와 열팽창 계수의 차이가 존재합니다.따라서 이를 완화하기 위해서 GaN-Si 물질 사이에 AlN이라는 박막을 버퍼층으로 성장합니다. 이 버퍼층과 기판 사이 장벽에서 어떤 문제점이 발생하게 됩니다.AlN의 밴드갭은 6.1 eVSi의 밴드갭..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)지금까지 이온 주입이 어떻게 이루어지는지 이해하였고 이온 주입에 따른 손실까지 살펴보았습니다.이번 포스팅에서는 이온이 기판으로 이동할 때 발생하는 현상과 그로 인해 발생되는 격자의 결함에 대해 설명하겠습니다. 5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자저지 [반도체공정] feat.jaeger3. Chapter 5-5 (이온주입) Chaneling, Lattice damage, and annealing, 예제 [반도체공정] feat.jaeger 이온 주입을 진..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 이온주입이란 무엇인가를 알아보겠습니다.5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자저지 [반도체공정] feat.jaeger3. Chapter 5-5 (이온주입) Chaneling, Lattice damage, and annealing, 예제 [반도체공정..