기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)4번쩨 반도체 공정인 식각은 박막을 증착하고 구멍을 파내는 공정을 의미합니다. 2.2. 식각이란?굳어진 photoresist로 보호되지 않는 모든 barriar layer 물질들을 제거하는 데 사용됩니다.  액체 또는 기체를 이용한 etching이 있습니다.wet etch(습식 식각)dry etch(건식 식각)화학물질의..

1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)      - 이온주입(Ion implantation)  6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 확산, 이온주입 모두 불순물을 target에 주입하는 과정을 말합니다. 모스펫의 P-N 접합에서의 도핑. 즉 확산에 의한 접합공정은 고전적이나 간단하고 저렴한 방법입니다.오랜 연구로 쌓인 데이터로 인한 정확한 공정모델이 가능하고 여전히 반도체 핵심 공정으로 분류됩니다. 따라서 오늘은 확산(Deposition)에 대해 이야기해 보겠습니다..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 산소에 노출되면 실리콘 웨이퍼 표면이 산화되어 이산화규소를 형성합니다.  이 SiO2 film은 고품질 전기 절연체이며 불순물 증착 중에 차단제로서 사용할 수 있습니다. 이산화규소의 이러한 두 가지 특성은 실리콘이 오늘날 집적 회로 제조에 사용되는 지배적인 재료가 되도록 이끄는 주요 공정 요소였습니다.  이 Chapter 3장에서는 아래 목차에 대해서 논의합니다. 1. 산화물 성장 이론2. 산화물 성장 과정3. ..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자저지 [반도체공정] feat.jaeger3. Chapter 5-5 (이온주입) Chaneling, Lattice damage, and annealing, 예제 [반도체공정] feat.jaeger 이온 주입을 진..