기술은 감각이다, 밀론 블로그

0. 서론이전 파트에서 Transistor Side Wall Oxide 최적화 평가를 진행했었다.무사히 통과되었다고 한다. 그러나, 또 다른 과제를 받았다.느려터진 NAND 소자의 성능을 개선시키라고 한다. 이번엔 현상 파악 후 idea 공유까지만 하겠다.1. NAND Flash의 Cell Current 개선1문제 파악 및 idea 공유현상을 파악하고, 근거 기반 이론 설명, 목표 설정비싸거나, 느리거나, 고장나거나의 문제로 개선 필요성 느낌.2관련 Data 확보장비를 이용, 현상&물성 파악, 데이터 가공&비교근거를 찾아야 함. 데이터 분석 역량은 아주 중요.3실험 계획데이터 해석 기반 평가 진행, SPLIT Table 작성효율적 자원 사용이 되어야 함. (UHP), 구체적인 계획 필1요.4Lot Ass..

0. 서론 이번 포스팅은 장비 전환 + 공정 개선 중심으로 다뤄진다.목차는 다음과 같다.A사(47억) → B사(25억) 장비 대체 평가 시나리오Side Wall Oxide의 역할과 물성 분석 (TEM, CD, Etch rate)Wet vs Dry Etch 비교 및 Densification 개념Split Table 설계 및 결과 해석핵심 키워드: 저비용-고효율 평가, WER·Shrinkage 데이터 해석, Anneal 조건 1. A사(47억) → B사(25억) 장비 대체 평가 시나리오Transistor Side Wall Oxide 최적화 과제의 주된 목표는 FAB COM 개선이다. 공정 비용 비교(가정)A사 장비 50억, 연 간 유지비 5억.B사 장비 30억, 연 간 유지비 3억. Sequence 1) ..

본 글은 세미콘부트캠프에서 배운 내용을 개인 복습 및 학습 공유 목적으로 재구성하였으며,원자료의 저작권은 세미콘부트캠프에 있습니다. 0. 서론해당 포스팅은 24년도 7월 경 수료한 '세미콘부트캠프' 복습이며 PART 4까지 이어진다.반도체 엔지니어의 실무가 실제로 어떻게 이루어지는지 '세미콘부트캠프'에서 수강했던 내용을 다룰 것이다.앞으로 다룰 내용 중 하나인 transistor side oxide wall 최적화는 '장비 투자비'와 직접적으로 관련이 깊은 FAB COM 주요 과제 중 하나이다. 따라서 파트 2까지는 기존 고가의 장비를 저가의 장비로 대체하면서도 공정 결과는 보존하고 개선하는 방법을 찾고 물성을 개선하는 과정을 공부할 것이고, PART 3에서는 'Hydrogen Passivation 활용..