기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Deposition)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)4번쩨 반도체 공정인 식각은 박막을 증착하고 구멍을 파내는 공정을 의미합니다. 2.2. 식각이란?굳어진 photoresist로 보호되지 않는 모든 barriar layer 물질들을 제거하는 데 사용됩니다.  액체 또는 기체를 이용한 etching이 있습니다.wet etch(습식 식각)dry etch(건식 식각)화학물질의..

3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxidation(건식산화)  wet oxdation(습식산화)   Si 기판을 이용하여 산화를 시키기 때문에 전체 산화막의 두께의 약 46 % 는 소모된 Si의 두께가 됩니다.그렇다면 나머지 54 %는 생성된 산화막의 두께가 됩니다. 계면 경계인 X_0 를 기준으로 왼쪽 구간의 J를 F_1오른쪽 구간의 J를 F_2 으로 정의하겠습니다.  왼쪽에서 부터 오른쪽으로 산화가 진행되겠죠. 즉 flux 방향은 오른쪽이 되겠습니다. 기판의 표면인 x=0에서 산화막 계면의 위치인 X_0까지의 산화족 농도 flux 함수를 구할 수 있습니다.flux는 Fick의 법칙에 의해 다음과 같이 나타낼 수 있습니다...

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)5. 증착공정(Deposition) 목차1. Chapter 5.1~5.2 (이온주입) 주입범위, 예제 [반도체공정] feat.jaeger2. Chapter 5.3~5.4 (이온주입) 주입 깊이, 핵저지, 전자저지 [반도체공정] feat.jaeger3. Chapter 5-5 (이온주입) Chaneling, Lattice damage, and annealing, 예제 [반도체공정] feat.jaeger 이온 주입을 진..