기술은 감각이다, 밀론 블로그

발표 ppt는 글 맨 아래 올려두었습니다. GaN on Si 소자 관련 팀별 5분 개인 발표를 학교에서 진행한 적이 있는데, 저는 한국원자력연구원의 특허자료를 인용해 발표를 하였습니다. 발표 내용은 이온주입을 이용한 GaN on Si 소자 항복전압 개선입니다. 관련 기술 조사 중 GaN on Si 관련 기술이 뭐가 있을까 고민을 좀 했습니다.워낙 다양한 기술이 존재했기 때문인데, 그래서 저는 GaN on Si 소자의 문제점에 집중했습니다. GaN과 Si는 격자 상수의 차이와 열팽창 계수의 차이가 존재합니다.따라서 이를 완화하기 위해서 GaN-Si 물질 사이에 AlN이라는 박막을 버퍼층으로 성장합니다. 이 버퍼층과 기판 사이 장벽에서 어떤 문제점이 발생하게 됩니다.AlN의 밴드갭은 6.1 eVSi의 밴드갭..

2024.01.04 ~ 2024.01.05교육 장소교육 일정 교육 내용 부산대학교에서 주관하는 전력반도체 소자제조 이론교육이다. 교육 일정에서 보다시피 갈륨 나이트론과 실리콘 카바이드 기반 반도체에 대해서 배운다.GaN 반도체는 작은 기기에 유리하고 SiC는 대형 기기에 어울린다. 교육 후기 난이도가 상당이 높다.한정된 시간 동안 내용을 전부 다루어야 하기 때문에 강의 속도가 빠를 뿐더러 내용이 많다.또한 학사 수준에서 듣기에 어려움이 많다. 강의 초반부 내용은 학부에서 배운 내용들이 꽤나 많이 나왔다.  필자 주관적으로 보기에 적어도 학사과정이 듣기에는 어렵다고 생각하고 최소자격이 학사일 뿐, 석사 또는 재직자 기준 강의 난이도라고 생각한다.역시나 석오균 교수님께서도 강의 수준을 석사 이상으로 생각하셨..