[반도체공정 feat.jaeger] 식각(Etch) Chapter 2.3.3 - 반응 건식 식각 장치

반도체 8대 공정 순서

1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정
2. 산화공정(Oxidation)
3. 포토공정(Photo)
4. 식각공정(Etching)
5. 증착공정(Deposition)
     - 확산(Deposition)
     - 이온주입(Ion implantation) 
6. 금속배선공정(Metalliztion)
7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)
8. 패키지공정(Package)

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반응 건식 식각을 진행하는 장치에 대해 이야기해 보겠습니다.

2.3.2. 반응 건식 식각 (Reactive dry etching)

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원통형 플라스마 식각 반응 장치

▶ 순수한 화학적 etching을 유도하는 동시 asher를 만드는 장치.

 

O2 플라스마를 이용해 PR을 제거하여 asher를 만듭니다.

ash : 재

유기 PR를 태우는 과정으로 이해할 수 있습니다.

즉 습식 공정에서의 PR stripper을 대체할 수 있습니다.

https://link.springer.com/referenceworkentry/10.1007/978-981-99-2836-1_68

 

웨이퍼 주변에 원통형으로 생긴 금속망을 wafer에 감쌉니다.

금속망은 energetic ion bombardment(강한 이온 폭격) 즉 하전입자를 막습니다.

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RIE (reactive ion etcher)

▶ 비등방성 에칭을 유도하는 장치.

 

100~1000V의 Ar 이온이 wafer 표면에 충돌하여 anisotrophy(비등방성) etching을 유도합니다.

https://link.springer.com/referenceworkentry/10.1007/978-981-99-2836-1_68

기본적으로 spuutering 장치의 원리와 동일합니다.

그러나 식각용 기체가 같이 들어간다는 점이 sputtering 장치와 차이점이 있습니다.

 

제3의 전극(보통 DC)을 삽입하여 이온의 에너지를 독립적으로 조절할 수 있는 triode(삼극관형) RIE 도 있습니다.

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이것으로 Chapter 2 Etch를 마칩니다.

 

감사합니다.

 

introduction to microelectronic fabrication (Vol 5)

For courses in Theory and Fabrication of Integrated Circuits.The author's goal in writing this text was to present a concise survey of the most up-to-date techniques in the field. It is devoted exclusively to processing, and is highlighted by careful explanations, clear, simple language, and numerous fully-solved example problems. This work assumes a minimal knowledge of integrated circuits and of terminal behavior of electronic components such as resistors, diodes, and MOS and bipolar transistors.

저자

jaeger

출판

피어슨 에듀케이션

출판일

2013.08.30