박막 성장 - step coverage [반도체공정]

반도체 8대 공정

1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정
2. 산화공정(Oxidation)
3. 포토공정(Photo)
4. 식각공정(Etching)
5. 증착공정(Deposition)
6. 금속배선공정(Metalliztion)
7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)
8. 패키지공정(Package)

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박막을 성장할 때 반드시 골고루 성장이 되어야 한다.

그렇지 않으면 단선(open circuit)이 일어나거나 배선금속(interconnection metal) 의 모스펫이라면 Joule heating에 의해 특정 부분이 과열되어 단선된다.

 

"박막 성장이 골고루 잘 퍼졌다!" = step coverage 혹은 conformal coverage.

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그림과 같이 가려진 부분의 가려진 곳에 가스분자가 충돌. = 가야할 장소에 도달 불가.

=그림자 효과(shadowing effect)

 

즉 두께 변화가 일어남.

 

해결 방법은 보통 기판을 회전시켜 shadowing effect를 감소 시킨다.