기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 산소에 노출되면 실리콘 웨이퍼 표면이 산화되어 이산화규소를 형성합니다.  이 SiO2 film은 고품질 전기 절연체이며 불순물 증착 중에 차단제로서 사용할 수 있습니다. 이산화규소의 이러한 두 가지 특성은 실리콘이 오늘날 집적 회로 제조에 사용되는 지배적인 재료가 되도록 이끄는 주요 공정 요소였습니다.  이 Chapter 3장에서는 아래 목차에 대해서 논의합니다. 1. 산화물 성장 이론2. 산화물 성장 과정3. ..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)반도체 8대 공정 중 5번째 과정인박막의 성장(thin film deposition)방법은 크게 2가지. 1. 물리기상증착(physical vapor deposition) : 약자 PVD. 화학적 반응이 없는 박막 증착과정.2. 화학기상증착(chemical vapor deposition) : 약자 CVD. 화학적 반응이 있는 박막 증착과정. 간단히 박막성장을 위해 주입된 원료물질과 반도체를 구성하는 박막을 구성하는..