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[반도체공정] feat.jaeger 산화(Oxidation) Chapter 3.3 - 산화막 성장률의 영향요소들
반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition) - 확산(Diffusion) - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 3.3 산화막 성장률 영향요소산화막의 성장률에 영향을 주는 요소들이 있습니다.결정방향도핑농도의 영향염소의 영향(Cl)압력의 영향 [반도체공정] feat.jaeger Chapter 3-2 산화 - 열산화3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxid..
반도체/[공정 2] 산화(thermal oxidation)
2024. 8. 4. 16:32