기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Diffusion)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 3.3 산화막 성장률 영향요소산화막의 성장률에 영향을 주는 요소들이 있습니다.결정방향도핑농도의 영향염소의 영향(Cl)압력의 영향 [반도체공정] feat.jaeger Chapter 3-2 산화 - 열산화3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxid..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package)반도체 8대 공정 중 5번째 과정인박막의 성장(thin film deposition)방법은 크게 2가지. 1. 물리기상증착(physical vapor deposition) : 약자 PVD. 화학적 반응이 없는 박막 증착과정.2. 화학기상증착(chemical vapor deposition) : 약자 CVD. 화학적 반응이 있는 박막 증착과정. 간단히 박막성장을 위해 주입된 원료물질과 반도체를 구성하는 박막을 구성하는..