기술은 감각이다, 밀론 블로그

반도체 8대 공정 순서1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)     - 확산(Diffusion)     - 이온주입(Ion implantation) 6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 3.3 산화막 성장률 영향요소산화막의 성장률에 영향을 주는 요소들이 있습니다.결정방향도핑농도의 영향염소의 영향(Cl)압력의 영향 [반도체공정] feat.jaeger Chapter 3-2 산화 - 열산화3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxid..

반도체 8대 공정1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정2. 산화공정(Oxidation)3. 포토공정(Photo)4. 식각공정(Etching)5. 증착공정(Deposition)6. 금속배선공정(Metalliztion)7. EDS 공정(Electrical Die Sorting)8. 패키지공정(Package) 산소에 노출되면 실리콘 웨이퍼 표면이 산화되어 이산화규소를 형성합니다.  이 SiO2 film은 고품질 전기 절연체이며 불순물 증착 중에 차단제로서 사용할 수 있습니다. 이산화규소의 이러한 두 가지 특성은 실리콘이 오늘날 집적 회로 제조에 사용되는 지배적인 재료가 되도록 이끄는 주요 공정 요소였습니다.  이 Chapter 3장에서는 아래 목차에 대해서 논의합니다. 1. 산화물 성장 이론2. 산화물 성장 과정3. ..