기술은 감각이다, 밀론 블로그

3.2 Thermal Oxidation Mechanism(열산화기구) 산화에는 2가지 방식이 존재합니다. dry oxidation(건식산화)  wet oxdation(습식산화)   Si 기판을 이용하여 산화를 시키기 때문에 전체 산화막의 두께의 약 46 % 는 소모된 Si의 두께가 됩니다.그렇다면 나머지 54 %는 생성된 산화막의 두께가 됩니다. 계면 경계인 X_0 를 기준으로 왼쪽 구간의 J를 F_1오른쪽 구간의 J를 F_2 으로 정의하겠습니다.  왼쪽에서 부터 오른쪽으로 산화가 진행되겠죠. 즉 flux 방향은 오른쪽이 되겠습니다. 기판의 표면인 x=0에서 산화막 계면의 위치인 X_0까지의 산화족 농도 flux 함수를 구할 수 있습니다.flux는 Fick의 법칙에 의해 다음과 같이 나타낼 수 있습니다...